SIMULASI TRANSISTOR EFEK MEDAN SEMIKONDUKTOR LOGAM OKSIDA KANAL P DAN N

Fadliondi ., Haris Isyanto, Prian Gagani Chamdareno

Abstract


Abstrak. Tulisan ini memperkenalkan sebuah simulasi untuk mempelajari MOSFET. Parameter inputnya adalah lebar kanal, mobilitas electron, kapasitansi elektroda gerbang per satuan luas, panjang kanal, tegangan threshold dan arus off. Kurva ID-VD dan ID-VG telah diplot pada grafik.

Full Text:

Untitled

Refbacks

  • There are currently no refbacks.